Samsung deelt details van een verbeterde GDDR7-geheugenchip voor videokaarten. De modules moeten een bandbreedte van maximaal 42,5Gbit/s per pin halen. De capaciteit van de chips is 24Gbit, ofwel 3GB.

De productie van het videogeheugen moet begin 2025 van start gaan. Het is volgens Samsung voor het eerst dat een fabrikant 24Gbit-GDDR7-ram ontwikkelt en het is voor zover bekend ook de hoogste snelheid die momenteel met GDDR7-vram gehaald kan worden. Het bedrijf zegt dat de standaardsnelheid van 40Gbit/s gehaald kan worden dankzij three-level pulse-amplitude-modulation.

De vermelde snelheid van 42,5Gbit/s kan alleen gehaald worden 'afhankelijk van de omstandigheden', maar wat die omstandigheden zijn vermeldt de Zuid-Koreaanse techgigant niet. Samsung 'valideert' het ontwerp van het videogeheugen dit jaar met klanten, ofwel gpu-fabrikanten, en is van plan om begin volgend jaar met de productie van de chips te beginnen. SK hynix begint overigens dit jaar al met de massaproductie van vergelijkbaar geheugen.

Het betreffende 24Gbit-geheugen maakt gebruik van dram dat op het 10nm-procedé gemaakt is. Een eerdere versie van dit procedé gebruikte Samsung ook al voor de huidige GDDR6-geheugenmodules, maar de vijfde generatie van dat productieproces moet volgens het bedrijf voor een 50 procent hogere dichtheid van de cellen zorgen. Verder past het bedrijf naar eigen zeggen verschillende technieken toe om de energiezuinigheid van de chips te verbeteren, waaronder 'clockcontrolemanageme.